搜索结果: 1-15 共查到“半导体材料”相关记录850条 . 查询时间(6.046 秒)
中国科学院稀土掺杂氧化钛光催化分解水制氢取得突破（图）
催化 电解 半导体材料
2025/4/12
150年前，科幻大师凡尔纳预言，水将成为终极燃料。科学家一直努力发展能够将这一预言变为现实的各种可能的技术。其中包括通过阳光直接分解水获取氢气，这项被称为“光催化分解水”的技术属于低碳技术。
中国科学院物理研究所发现金属室温d波交错磁体KV2Se2O（图）
金属 半导体材料 电子
2025/4/17
作为一类新型磁性材料，交错磁体的核心特征在于零净磁化强度和动量依赖自旋劈裂的能带结构，突破了传统铁磁体与反铁磁体的分类框架。角分辨光电子能谱（ARPES）测量首先在半导体材料MnTe和MnTe2中观测到自旋劈裂的能带结构，实验上确认了交错磁体的存在。相比之下，金属性的交错磁体不仅为研究低能准粒子激发提供了独特的平台，同时在自旋电子学应用方面具有巨大潜力。
深圳技术大学工程物理学院肖爽副教授（图）
深圳技术大学工程物理学院 肖爽 副教授 化合物半导体 光电转化器件 有机/无机杂化 无机半导体材料
2025/3/24
肖爽，副教授，博士，深圳市海外高层次人才，从事化合物半导体的制备与光电转化器件的研究工作，在有机/无机杂化和无机半导体材料的晶体生长机理、结构设计与控制，载流子输运等领域取得了一定量的成果。在Nat. Commun., Adv. Mater., Angew. Chem. 和 Matter等期刊上共发表文章80余篇，被他引7000余次（Google Scholar），其中SCI高引8篇，H因子43；...
戴俊峰，理学博士，教授，2010年获得香港大学凝聚态物理学博士学位。主要从事利用光谱学方法探究二维量子材料的新奇物性，在国内外期刊发表论文30余篇，包括Nature Nanotechnology 1篇、Phys. Rev. Lett. 1篇、Nano Letters 2篇、ACS Nano 1篇，Google引用次数7414，授权发明专利两项。主持项目十余项，其中国家自然基金两项、广东省基金3项。
王戊，工学博士，副教授，主要从事半导体热电材料与器件的微观结构与物性关联、透射电子显微学等研究，共计发表学术论文63篇，h因子26，总引用数>2000次。近五年，以（共同）第一作者或通讯作者在Science、Nature Nanotechnology、Science Advances、Advanced Materials等期刊发表论文十余篇，主持国家自然科学基金青年基金、广东省自然科学基金面上项目...
张荔，博士，副教授，硕士生导师。“2024年度全球前2%顶尖科学家榜单”入选者，陕西省高层次人才引进计划入选者，陕西省高校科协青年人才托举计划入选者。主持国家和省部级科研项目10项。担任国家自然科学基金委评议专家，陕西省纳米科技学会理事，中国化学会会员，陕西省、广东省、河南省等科技厅评审专家，《无机材料学报》、《矿物冶金与材料学报(英文版)》、《Exploration》等期刊青年编委；Nature...
偏振光的发射与控制是实现高维信息传输和检测的基础，在显示、照明和光通信等领域都具有重要的应用价值。相比于传统基于多重光学结构获得偏振光方式来讲，利用材料本征结构各向异性直接实现偏振光发射，具有制备工艺简单、对比度高、能量损失低，易于器件小型化和集成化等优势，在未来信息显示领域具有很好的应用前景。对于本征有机偏振发光半导体材料领域研究来讲，由于受到Kasha规则和蒸镀掺杂薄膜本征无序特性的限制，高迁...
中国科学院宁波材料所在超宽禁带半导体材料与器件研究方面取得进展（图）
半导体材料 器件 界面
2025/1/16
以氧化镓（Ga2O3）和金刚石（Diamond）为代表的超宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、击穿电场高、巴利加优值高、抗辐射能力强等优异性能，可以更好地满足功率电子器件在高功率、高温、高频以及高辐射等极端工况的使用需求，应用前景广阔。p型半导体和n型半导体相结合的双极型器件，具有良好的电流和电压承载能力，是功率电子器件发展的重要方向。然而，超宽禁带半导体面临双极型掺杂难的问题，比如氧化镓难以实现p...
中国科学院半导体所提出免于退极化效应的光学声子软化新理论（图）
半导体 光学 声子 理论
2024/11/7
通过晶体管持续小型化提升集成度的摩尔定律已接近物理极限，主要瓶颈是晶体管功耗难以等比例降低。进一步降低功耗有两个主要途径：其一是寻找拥有比HfO2 更高介电常数和更大带隙的新型高k氧化物介电材料，确保不降低栅控能力的前提下增厚栅介电层，遏制量子隧穿效应引起的栅极漏电流；另一个是采用铁电/电介质栅堆叠的负电容晶体管（NCFET），突破传统晶体管室温60 mV/dec的亚阈值摆幅限制，进而...
中国科学院半导体研究所固态光电信息技术研究室H组招聘启事
固态 光电信息 招聘启事
2024/10/25
中国科学院半导体研究所固态光电信息技术研究室H组致力于研究III-V组化合物半导体单晶材料生长和衬底制备等工作研制高性能红外光电探测器及激光器用晶圆材料。根据工作需要，拟招聘研发人员1-2名。
一直从事半导体材料、器件、工艺及其封装方面的研究工作，尤其是非制冷红外探测器的工艺及先进封装研究工作。作为项目负责人完成2项非制冷红外探测器国家重大计划研究项目，作为参与人完成相关国家研究项目10项，发表相关研究论文5篇，获得授权专利8项，并获得两项省部级奖励。
中国科学院微电子所在新型氧化物薄膜晶体管研究方面取得进展（图）
薄膜 晶体 半导体材料
2024/8/11
氧化物随即存储器因其较长的保持时间和有利于三维堆叠的优点，成为国际学术和产业界的关注点，其中In2O3-基薄膜晶体管由于其高迁移率而备受关注。In2O3中氧的不稳定性直接影响到器件的可靠性，为克服这一问题，传统的Ga或Zn掺杂需要较高的掺杂浓度，在提升器件可靠性的同时减低了迁移率。因此，需要提出更新的氧化物半导体材料体系，突破In2O3-基薄膜晶体管的迁移率和可靠性制约问题。
中国科学院上海硅酸盐研究所专利：一种中间带半导体材料及其制备方法和应用。
中国科学院上海硅酸盐研究所专利：一种无机柔性和塑性半导体单晶InSe材料及其制备方法和应用。