搜索结果: 1-15 共查到“半导体材料”相关记录57条 . 查询时间(3.316 秒)
深圳技术大学工程物理学院肖爽副教授（图）
深圳技术大学工程物理学院 肖爽 副教授 化合物半导体 光电转化器件 有机/无机杂化 无机半导体材料
2025/3/24
肖爽，副教授，博士，深圳市海外高层次人才，从事化合物半导体的制备与光电转化器件的研究工作，在有机/无机杂化和无机半导体材料的晶体生长机理、结构设计与控制，载流子输运等领域取得了一定量的成果。在Nat. Commun., Adv. Mater., Angew. Chem. 和 Matter等期刊上共发表文章80余篇，被他引7000余次（Google Scholar），其中SCI高引8篇，H因子43；...
王戊，工学博士，副教授，主要从事半导体热电材料与器件的微观结构与物性关联、透射电子显微学等研究，共计发表学术论文63篇，h因子26，总引用数>2000次。近五年，以（共同）第一作者或通讯作者在Science、Nature Nanotechnology、Science Advances、Advanced Materials等期刊发表论文十余篇，主持国家自然科学基金青年基金、广东省自然科学基金面上项目...
张荔，博士，副教授，硕士生导师。“2024年度全球前2%顶尖科学家榜单”入选者，陕西省高层次人才引进计划入选者，陕西省高校科协青年人才托举计划入选者。主持国家和省部级科研项目10项。担任国家自然科学基金委评议专家，陕西省纳米科技学会理事，中国化学会会员，陕西省、广东省、河南省等科技厅评审专家，《无机材料学报》、《矿物冶金与材料学报(英文版)》、《Exploration》等期刊青年编委；Nature...
一直从事半导体材料、器件、工艺及其封装方面的研究工作，尤其是非制冷红外探测器的工艺及先进封装研究工作。作为项目负责人完成2项非制冷红外探测器国家重大计划研究项目，作为参与人完成相关国家研究项目10项，发表相关研究论文5篇，获得授权专利8项，并获得两项省部级奖励。
郭振刚，男，天津城建大学材料科学与工程学院副教授，博士，联系方式：zhengangguo@tcu.edu.cn办公电话：022-23085236。
浙大宁波理工学院材料科学与工程学院陈飞副教授（图）
浙大宁波理工学院材料科学与工程学院 陈飞 副教授 微纳米半导体材料
2023/6/29
陈飞，浙大宁波理工学院材料科学与工程学院副教授，2006.09-2009.06浙江大学材料高分子系博士，2009.8-至今 浙大宁波理工学院材料学院讲师。研究方向为微纳米半导体材料的合成及功能化。主持项目国家自然科学基金：多孔微纳结构In2S3晶体薄膜的可控制备及其杂化太阳能电池的基础研究。
张青，北京大学材料科学与工程学院博士生导师，副教授，主要从事纳米光学和半导体光学材料的可控制备、光谱物理与微腔光学功能器件的研究工作，包括：1）新型半导体光学增益材料如卤化物钙钛矿材料的可控制备；2）半导体微腔光-物质强相互作用、室温激子极化激元材料与物理；3）微纳激光材料与器件设计。
广东省科学院半导体研究所刘宁炀高级工程师（图）
刘宁炀 广东省科学院 半导体研究所 半导体材料
2023/5/16
刘宁炀博士，1984年出生于广西梧州，2003年-2012年在北京大学物理学院先后获得理学学士、博士学位，测试分析平台副主任，高级工程师，从事半导体照明及第三代半导体材料与器件研发工作。
张康，高级工程师，1987年8月生，安徽东至人。2011年进入广东省工业技术研究院（原广州有色金属研究院）工作，2016年原工研院整体并入广东省科学院后，任职于广东省科学院半导体研究所材料外延平台开展技术研发工作。
敬守勇，男，1967年02月出生，研究生学历，深圳大学物理与光电工程学院副教授、副研究员，曾获“国防科工委科学技术进步三等奖”1项。1990年至2002年期间，先后在中国工程物理研究院、四川大学、韩国济州国立大学从事高温高密度离子体辐射诊断技术研究、固体（晶体）材料材料制备及性质研究、光学材料及大尺寸光学元件加工技术研究和用于ULSI的低介电常数材料研究等多项工作。2002年进入深圳大学后从事半导...
叶凡 ，女，副教授，硕士生导师（首批新锐研究生导师称号），深圳大学物理与光电工程学院物理系副主任，深圳市高层次人才，南山区领航人才，深圳市科技创新委员会评审专家。一直从事半导体材料与器件方面的研究工作，目前主要研究氧化亚铜同质结及异质结太阳能电池。主持国家自然科学基金面上项目和青年项目、深圳市科技计划项目共计5项，并作为主要成员参与863项目和省部产学研等多项科研项目。以第一作者或通讯作者在Jou...
全知觉，南昌大学未来技术学院副研究员，南昌大学材料科学研究所所长，从事专业领域：半导体材料与器件、半导体物理。在研国家基金项目简介：氮化镓基发光二极管中 V 坑空穴注入的研究；项目号：11674147；直接经费66万；执行年限：2017.01-2020.12.；简介：该项目主要是采用理论与实验相结合的方法，研究了LED器件中V坑对载流子输运特性的影响，建立并完善了“V坑空穴注入”物理模型；提出了“...
高江东，南昌大学未来技术学院助理研究员，从事专业领域：硅基氮化镓发光半导体材料生长与器件物理。在研基金项目简介：铟镓氮发光二极管中载流子有效复合体积的研究。简介：由于铟镓氮发光二极管中存在较强的压电极化现象，使发光区中电子与空穴复合时需额外克服较大的极化电场，造成发光效率下降；本项课题目的在于通过铟镓氮发光二极管的发射光谱分析，获得二极管发光区中电子与空穴的浓度分布信息，进而估计电子与空穴的有效复...
方文卿，男，研究员，64年生，83年毕业于复旦大学激光物理专业，88年硕士毕业于中科院安徽光学精密机械研究所—光学/新型激光器方向。有过电真空、激光器、单片机、氮化物LED、半导体厂房设计/建造/厂务、眼科工程师、MOCVD在线监测仪器开发等方面的经历；自感动手能力强，思路开阔，属赣鄱英才555工程的入选者；代表性的工作有：硅衬底LED外延的最主要发明人之一，晶能光电的最主要创始人之一；MOCVD...