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科创芯园壹号作为顺义区重点打造的第三代先进半导体专业特色园区，坚持聚焦关键技术领域，聚合发展产业链条，不断优化完善服务平台运营模式，促进更多科技成果转化落地。
近日，国家知识产权局出具“无效宣告请求审查决定书”，决定号为51362，专利号为201610890489.3，维持专利权有效。专利权人为芯海科技(深圳）股份有限公司（以下简称：芯海科技），无效宣告请求人为罗小燕。
中芯国际“半导体结构及其制造方法”专利获授权
中芯国际 半导体结构及其制造方法 专利授权
2022/10/17
国家知识产权局消息显示，中芯国际“半导体结构及其制造方法”专利获授权，授权公告日为2021年7月13日。该专利申请号为2016107563247，授权公告号为CN107785422B。