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中国科学院微电子所在CAA结构的3D DRAM研究领域取得重要进展（图）
结构 器件 晶体管
2024/2/28
DRAM是存储器领域最重要的分支之一。随着尺寸微缩，1T1C结构DRAM的存储电容限制问题愈发显著，导致传统1T1C-DRAM面临微缩挑战。基于铟镓锌氧（IGZO）晶体管的2T0C-DRAM有望克服1T1C-DRAM的微缩挑战，在3D DRAM方面发挥更大的优势。但现阶段研究工作都基于平面结构的IGZO器件，形成的2T0C单元尺寸（大约20F2）比相同特征尺寸下的1T1C单元尺寸（6F2）大很多，...
中国科学院微电子所在CAA新结构的3D DRAM研究取得创新进展（图）
晶体管 平面结构 器件堆叠
2023/8/21
随着尺寸的不断微缩，1T1C结构动态随机存储器（DRAM）的存储电容限制问题愈发显著，导致传统1T1C-DRAM面临微缩瓶颈。基于铟镓锌氧（IGZO）晶体管的2T0C-DRAM有望突破1T1C-DRAM的微缩瓶颈，在3D DRAM方面发挥更大的优势。但目前的研究工作都基于平面结构的IGZO器件，形成的2T0C单元尺寸（大约20F2）比相同特征尺寸下的1T1C单元尺寸（6F2）大很多，使IGZO-D...
韩国60纳米DRAM内存明年将量产
韩国Hynix公司 纳米工艺 DRAM芯片
2006/12/21
据国外媒体2006年12月20日报道，韩国Hynix公司近日发布了基于60纳米工艺制造的高容量内存模块和系列产品，即1GB DDR2 DRAM芯片。新内存适用于高密度DRAM组件和诸如显卡和手机DRAM芯片这类高性能产品。韩国芯片制造商称，公司将在2007年年上半年进行新内存的商业化生产。