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CMOS电路瞬态辐照脉冲宽度效应的实验研究
CMOS电路 辐照效应 闩锁阈值 翻转阈值
2009/8/25
在“强光一号”加速器上，对两种CMOS反相器和一种CMOS存储器进行了长脉冲状态和短脉冲状态下的辐照实验，测量了CMOS电路的瞬时辐照效应规律，得到了CMOS电路辐射损伤阈值与脉冲宽度的关系，分析了CMOS电路在不同脉冲宽度下的效应差异。实验结果表明：CMOS电路的辐射损伤阈值随脉冲宽度的增加而降低，在20 ns的脉冲宽度辐照下，CMOS反相器4007和4069的闩锁阈值大约为150 ns脉冲辐照...
空间瞬态光辐射信号定位系统电路设计与实现
2007/8/20
研究并设计了基于光学定位法的空间瞬态光辐射信号定位系统.该系统与能量探测系统协调工作，在能量探测系统识别到目标信号后，经过定位探测、行列编码存储及DSP处理计算，最后输出闪光信号光斑的重心坐标.介绍了系统组成及各部分电路的实现方法，并给出测试结果.实验表明，系统定位准确、设计方案可行.