搜索结果: 1-12 共查到“核科学技术 Au”相关记录12条 . 查询时间(0.093 秒)
Dielectron continuum production from $\sqrt{s_{NN}}$ = 200 GeV p + p and Au + Au collisions at STAR
Dielectron continuum production sqrt Au + Au collisions STAR
2011/7/20
We present the first STAR dielectron measurement in 200 GeV p + p and Au + Au collisions. Results are compared to hadron decay cocktails to search for vector meson in-medium modification in low mass r...
Evolution of the differential transverse momentum correlation function with centrality in Au+Au collisions at $\sqrt{s_{NN}} = 200$ GeV
transverse momentum correlation Au+Au collisions Evolution
2011/7/20
We present first measurements of the evolution of the differential transverse momentum correlation function, {\it C}, with collision centrality in Au+Au interactions at $\sqrt{s_{NN}} = 200$ GeV. {\it...
12C与209Bi反应中Au同位素的产额与Qgg的关系
12C Au同位素 Qgg值 丰中子和缺中子同位素
2010/7/13
用47 MeV/u 12C离子轰击天然铋靶，通过炮弹和靶核之间的核子转移反应产生Au同位素。使用放射化学方法从大量Bi和复杂反应产物中分离、纯化Au，并制备Au的γ射线测量源。使用HPGe探测器测量放射性Au同位素的γ活性。根据照射结束时Au同位素的活度和其他相关数据，确定每个Au同位素的产生截面。分析发现，缺中子Au同位素的产生截面与Qgg值之间不遵从指数依赖关系，这可用重离子碰撞中的次级过程加...
新型无氰电镀工艺制备Au-Bi合金靶
无氰 脉冲电镀 Au-Bi合金
2010/9/17
提出一种无氰碱性镀液体系制备Au-Bi合金微靶的脉冲电沉积方法。采用亚硫酸盐-酒石酸盐镀液体系，通过调控镀液成分及脉冲参数，有效控制合金组分(铋含量控制在1.5%～9.5%)，实现了金、铋的共沉积；同时研究了温度、电流密度及铋的浓度等对合金含量和镀层表面形貌的影响。通过实验获得制备合金微靶的最佳配方及工艺参数为：氯化铋6g/100mL，金0.15g/100mL，酒石酸钾钠12.50g/100mL，...
7Be在Pd和Au中衰变率变化的相对测量
电子俘获 衰变率 电子亲合势
2009/10/28
将HI-13串列加速器次级束流线产生的放射性核素7Be分别注入到Pd和Au中,利用两个高纯锗探测器同时测量7Be EC衰变核素7Li第一激发态放出的478 keV γ射线产额随时间的变化,发现7Be在Pd中的衰变率比在Au中大(0.8±0.2)%,并讨论了衰变率差别与这两种材料的电子亲合势及有效电子密度的关系.
用47MeV/u12C离子轰击天然铋靶，通过炮弹和靶核之间的核子转移反应产生Au同位素。使用放射化学方法从大量Bi和复杂反应产物中分离、纯化Au，并制备Au的γ射线测量源。使用HPGe探测器测量放射性Au同位素的γ活性。根据照射结束时Au同位素的活度和其他相关数据，确定每个Au同位素的产生截面。分析发现，缺中子Au同位素的产生截面与Qgg值之间不遵从指数依赖关系，这可用重离子碰撞中的次级过程加以解...
平面Au靶再发射的数值模拟
再发射流 再发射谱 反照率
2009/2/13
利用一维多群辐射输运程序(RDMG)，数值研究了平面Au靶入射流强度对再发射谱、再发射流、反照率及边界等效温度的影响。当入射流强度在(0.12-1.2)x1014 W/cm2 范围内，发射谱接近平衡谱，但在峰值附近谱形发生畸变。随着入射流强度降低，发射谱偏离平衡谱越来越大。分析表明，这与烧蚀深度和冕区光学厚度变小有关。本文还给出了在不同入射流强度情况下反照率及边界等效温度随时间变化规律，并给出了吸...
直接驱动快点火Au-CD锥壳靶的研制
快点火 锥壳靶 电镀
2009/2/9
介绍了近年在直接驱动快点火锥壳靶研制方面取得的进展。采用带止口金锥的设计提高金锥与微球的装配精度，讨论了芯轴电镀工艺中尖端效应的影响。采用飞秒激光加工实现聚合物微球打孔，讨论了激光扫描方式对打孔质量的影响。
7Be在Au中衰变率的精确测量
半衰期 7Be γ谱
2009/1/19
对在通常实验室环境下注入到Au中的7Be发生电子俘获的半衰期进行测量。共测量4.8个半衰期，测得T1/2=（53.245±0.003）d。此测量结果可作为研究7Be衰变率随环境不同而发生变化时的参照值。
在Be和Au中~7Be半衰期差别的测量
电子俘获 电子亲合势 晶格结构
2009/1/7
用两套γ谱仪精确测量了注入到天然铍和天然金中的7Be发生电子俘获的半衰期。实验测得,天然铍中7Be的半衰期为53.275(25)d,在天然金中为53.270(19)d。在0.12%的实验测量精度下,未观测到7Be半衰期在这两种材料中的差异。结果表明:注入在不同材料中7Be半衰期的变化不能仅从被注入材料的电子亲合势的差异考虑,还要考虑材料晶格结构的影响。
被污染Au-Si表面势垒探测器性能的恢复方法
探测器 金硅面垒
2008/12/17
金硅面垒半导体探测器是带电粒子能谱测量和α,β放射性强度测量的重要探测元件。这种探测器具有近似理想的伏安特性、噪声低、入射窗薄、线性好、脉冲上升时间短,能量分辨好等优点;另外又能做成各种几何形状如园形、矩形、环形、条带阵列以及探测器耗尽厚度可根据工作需要直接制备出厚为几微米到几毫米的全耗尽探测器;还可通过较灵
高分辨网栅型Au-Si表面势垒探测器的制备和性能
势垒探测器 网栅型
2008/12/17
制备了对紫外光灵敏且有较高能量分辨的网栅型Au-Si表面势垒探测器,其有效面积为12.56cm~2,金网栅电极厚195×10~(-10)m。对~(241)Am 5.486 MeV α粒子在室温和低真空条件下能量分辨是55-80 keV。探讨了制备工艺并测试了性能。