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近日，微电子所微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士的科研团队在HfO2基铁电存储器研究领域取得了进展，提出了一种基于Hf0.5Z0.5rO2（HZO）材料的铁电二极管（Fe-diode），并实现了三维集成。 铁电存储器具有高速、低功耗、高可靠性的优点，是下一代非挥发性存储器的有力竞争者之一。然而，传统铁电材料与标准CMOS工艺兼容性差问题和尺寸微缩难的问题制约着铁电存储器的发展。2011年，掺杂...
利用电子束蒸发技术制备了氧化铪薄膜，并分别用氧气氛下退火和激光预处理两种后处理方法对样品进行了处理。介绍了两种后处理工艺和相关的设备，测试分析了样品的透过率、吸收和抗激光损伤阈值。对比了两种后处理方法对降低吸收和提高激光损伤阈值的效果，讨论了它们的作用原理。实验结果表明，激光预处理能有效降低样品的吸收值，提高样品的抗激光损伤阈值。采用一步法（50%初始损伤阈值）预处理后，三倍频氧化铪薄膜的损伤阈值...
HfO2薄膜折射率非均质性生长特性研究
光学薄膜 电子束蒸发 HfO2薄膜 折射率非均质性
2016/8/12
在加热的BK7基板上,采用电子束蒸发(EB)工艺制备了一系列不同厚度的HfO2单层膜,对HfO2薄膜生长过程中的折射率非均质性进行了研究。光谱分析表明薄膜非均质性与其厚度息息相关。X射线衍射(XRD)测试表明不同非均质性薄膜对应不同的微观结构;薄膜的微观结构主要由薄膜的生长机制决定。当膜厚较薄时,薄膜不易结晶,呈无定形态,此时薄膜呈正非均质性。如果沉积温度足够高,则薄膜达到一定厚度后开始结晶,此后...
沉积工艺和离子后处理对HfO2薄膜残余应力的影响
残余应力 HfO2薄膜 电子束蒸发
2009/9/17
采用电子束直接蒸发氧化铪和反应蒸发金属铪两种沉积工艺制备了单层HfO2薄膜，并用氧等离子体对薄膜进行了离子后处理. 利用ZYGO Mark Ⅲ-GPI数字波面干涉仪对HfO2薄膜的残余应力进行了研究，讨论了不同沉积工艺和离子后处理对残余应力的影响. 实验结果表明：两种沉积工艺下沉积的薄膜皆为张应力，反应蒸发金属铪制备的薄膜应力较小；经过离子后处理，直接蒸发薄膜的应力明显减小，而反应蒸发薄膜的应力稍...
多脉冲532nm激光作用下HfO2/SiO2高反膜的损伤发展
HfO2/SiO2 高反膜 损伤阈值 多脉冲
2009/9/17
利用电子束蒸发沉积技术在K9 玻璃基片上制备了中心波长为532nm的HfO2/SiO2 高反膜，
研究了1-on-1 模式下的损伤行为，并根据ISO11254-1.2 标准确定了该薄膜的激光损伤阈值；研究了
该薄膜在多脉冲532nm 激光作用下的损伤发展过程. 损伤形貌和损伤深度的研究表明, 多脉冲激光
作用下的损伤行为本质上和1-on-1 模式是相同的，都是缺陷诱导激光损伤；同时，存在一个...