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高温AlN模板上p型GaN的生长研究
高温AlN 渐变δ掺杂 均匀掺杂 金属有机物化学气相沉积 p型GaN
2008/10/14
利用低压金属有机物化学气相沉积技术，采用均匀掺杂和渐变Mg-δ掺杂方法，分别在氮化镓（GaN）和高温氮化铝（HT-AlN）模板上，生长了p型GaN外延材料. 生长后，双晶X射线衍射和霍尔测试结果表明：HT-AlN模板上采用渐变Mg-δ掺杂方法生长的p型GaN材料,具有最好的晶体质量和电学性能. 该p型GaN样品的（0002）面半峰宽值小至178" ，其空穴氧浓度为5.78e17cm-3. 在对Cp...