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应力对M-Z型InP/InGaAsP-EAM偏振
InP/InGaAsP 偏振相关损耗 差分群时延 多量子阱 Stokes模型
2007/12/8
采用Agilent 81910A光子全参量测试仪,首次实验研究了InP/In1－xGaxAs1－yPy-MQW（Multiple-Quantum-Well,MQW）材料与衬底间因应力而产生的M-Z型光调制器的PDL影响以及由此引起的由差分群时延(Differential Group Delay,DGD)表征的偏振模色散(Polarization Mode Dispersion,PMD).研究结果表...