搜索结果: 1-15 共查到“工学 DRAM”相关记录20条 . 查询时间(0.046 秒)
中国科学院微电子所在CAA结构的3D DRAM研究领域取得重要进展（图）
结构 器件 晶体管
2024/2/28
DRAM是存储器领域最重要的分支之一。随着尺寸微缩，1T1C结构DRAM的存储电容限制问题愈发显著，导致传统1T1C-DRAM面临微缩挑战。基于铟镓锌氧（IGZO）晶体管的2T0C-DRAM有望克服1T1C-DRAM的微缩挑战，在3D DRAM方面发挥更大的优势。但现阶段研究工作都基于平面结构的IGZO器件，形成的2T0C单元尺寸（大约20F2）比相同特征尺寸下的1T1C单元尺寸（6F2）大很多，...
为解决现代计算系统中（如云计算和人工智能）的“内存墙”带宽局限、高效计算瓶颈和制造工艺尺寸微缩等问题，一种结合新型非晶态氧化铟镓锌（IGZO）薄膜材料的无电容（2T0C）DRAM结构，有望取代传统1T1C DRAM成为关键性的新兴技术路线。目前，大量研究工作集中于通过器件结构和工艺优化来提升IGZO 3D DRAM的保留时间和操作速度，但现有IGZO TFTs器件普遍存在性能均一性及阈值调控难题，...
中国科学院声学研究所专利：减少DRAM Cache缺失访问的方法、装置和系统
中国科学院微电子所在CAA新结构的3D DRAM研究取得创新进展（图）
晶体管 平面结构 器件堆叠
2023/8/21
随着尺寸的不断微缩，1T1C结构动态随机存储器（DRAM）的存储电容限制问题愈发显著，导致传统1T1C-DRAM面临微缩瓶颈。基于铟镓锌氧（IGZO）晶体管的2T0C-DRAM有望突破1T1C-DRAM的微缩瓶颈，在3D DRAM方面发挥更大的优势。但目前的研究工作都基于平面结构的IGZO器件，形成的2T0C单元尺寸（大约20F2）比相同特征尺寸下的1T1C单元尺寸（6F2）大很多，使IGZO-D...
中国科学院微电子所在2T0C DRAM研究取得创新进展（图）
铟镓锌氧 晶体管 电路控制
2023/8/21
动态随机存储器（DRAM）是存储器领域中的一个重要分支。基于铟镓锌氧（IGZO）晶体管的2T0C无电容DRAM，有望突破传统1T1C-DRAM的微缩限制、高刷新率等问题。但相比传统的1T1C结构，2T0C-DRAM仍存在诸多挑战：由于其读字线与写字线位于读晶体管的源漏端，存在潜在的电流分享路径，不利于读写操作；两条独立的读/写位线使得电路布局布线更复杂，需要更复杂的外围电路控制读写；在阵列级的DR...
武汉理工大学现代计算机体系结构英文课件Lecture3 Main Memory and DRAM
武汉理工大学 现代计算机体系结构 英文 课件 Lecture3 Main Memory and DRAM
2015/6/1
武汉理工大学现代计算机体系结构英文课件Lecture3 Main Memory and DRAM。
Optical Interface Platform for DRAM Integration
Integrated optics Integrated optics devices
2015/5/22
We present a new bulk-Si optical platform for the optical interfaces toward DRAM integration with localized SOI structure and SPE. The demonstration shows that the waveguide and coupling loss are -0.6...
10Gb/s Silicon Modulator Based on Bulk-Silicon Platform for DRAM Optical Interface
Silicon Modulator Bulk-Silicon DRAM Optical Interface
2015/5/15
We present 10Gb/s silicon Mach-Zehnder modulators fabricated on a bulk silicon wafer.10Gb/s data transmission with extinction ratio of >9dB at de-emphasis level of 12dB is successfully demonstrated.
据IC Insight的2011年IC Market Drivers最新版本(11月公布)，全球智能手机芯片市场在2010-2014年的年均增长率CAGR达到20%。
三星将大批量生产30纳米DDR3 DRAM内存芯片
批量 纳米 内存芯片
2011/11/3
据国外媒体报道，全球最大的内存芯片厂商三星电子周一称，30纳米DDR3 DRAM内存芯片已经适合消费者使用，准备应用到产品中。
台塑集团加码DRAM产业：明年资本支出将超135亿
DRAM 资本 支出
2011/11/1
2009年10月22日早间消息，据台湾媒体报道，台塑集团集中火力发展DRAM(动态随机存储器)产业，旗下南科、华亚科明年资本支出总和将达640亿元新台币(约合135.3亿人民币)，约是今年260亿元新台币(约合54.96亿人民币)的2.5倍，成为台湾明年资本支出第二大的半导体业者，仅次于台积电。半导体大厂加码投资，预示科技业升温。
H.264编码器存储带宽分析及DRAM控制器设计
动态随机存储器 存储控制器 总线调度
2009/7/24
在分析H.264/AVC编码过程中存储器带宽需求的基础上，提出一种DRAM控制器结构，并实现了几种不同调度策略的DRAM控制器结构设计。实现了令牌环、固定优先级和抢占式等三种结构，结合已有的存储空间映射方法，通过减少换行及Bank切换过程中的冗余周期，进一步提高存储器的带宽利用率。实验结果表明，提出的三种存储器结构中抢占式调度具有最高的宽利用率，可满足150 MHz时钟频率条件下HDTV1080P...
台系内存厂：DRAM产业最差时已过 价格有机会反弹
DRAM 价格 反弹
2011/11/4
存储器模块大厂创见董事长束崇万24日表示，DRAM产业最差的时候已经过去，现在是各家DRAM厂该握手言和的时候了。DRAM厂最好你休5天、我休5天，大家多放点假，才能扩大减产幅度，DRAM价格才有机会反弹。
日前，全球内存领导生产商奇梦达公司与专精于高速内存架构的全球领先的技术授权公司Rambus Inc. 共同宣布奇梦达已开始为PLAYSTATION®3（PS3™）计算机娱乐系统量产出货XDR DRAM。
DRAM厂亏损将超过营收 惨况史无前例 （图）
亏损 营收 史无前例
2011/11/1
台系DRAM厂力晶、茂德等2008年第1季亏损金额恐将首度超过当季营收，创下半导体产业首例，至于南亚科亏损金额与营收间差距亦将缩小。半导体业者表示，即便在2001年全球DRAM市场非常不景气时，这种亏损超过营收情况亦未曾发生，但2008年第1季对于台系DRAM厂而言，恐将面临“做愈多、赔愈多”窘境，DRAM厂营运出现史无前例的惨况。