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用于光子计数的InGaAs/InP SPAD设计
InGaAs/InP 单光子雪崩二极管 雪崩宽度 工作温度 电场分布
2016/8/10
重点研究了InGaAs/InP SPAD的隧道贯穿电场、雪崩击穿电场、雪崩宽度与过偏电压的关系,提出了过偏电压的计算方法.分析了InGaAs/InP SPAD的基本特性即探测效率、暗计数率与其过偏电压、工作温度、量子效率、电场分布的依赖关系,提出了一种单光子InGaAs雪崩二极管的设计方法.设计制作了InGaAs/InP SPAD,并在门控淬灭模式下进行了单光子探测实验.结果表明:对于Φ200μm...
本研究对于1.55μm光通讯——InGaAsP/InP多量子阱材料，采用新的互扩方法，带隙改变224meV的最大移动量。它的创新之处在于采用含磷组份新的电介质膜SiOP，替代国际上传统的电介质膜（SiO_2，Si_3N_4）获得了突破的数据达到了目前国际上有关此项目研究的最高数据（据文献报导美、德、英、加、日等国为10～150meV）。本成果同时也为光集成组件和超大规模集成电路找到了新的低介电常数...