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中国科学院理化技术研究所专利：ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料以及单晶ZnS纳米管的制备方法
中国科学院理化技术研究所 专利 ZnO/ZnS 核壳结构 一维纳米材料 单晶ZnS纳米管
2023/4/24
中国科学院理化技术研究所专利：ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料以及单晶ZnS纳米管的制备方法
中国科学院理化技术研究所专利：一维ZnO/ZnS核壳结构纳米阵列以及单晶ZnS纳米管阵列的制备方法
中国科学院理化技术研究所 专利 一维 ZnO/ZnS 核壳结构 纳米阵列 单晶 ZnS纳米管阵列
2023/4/24
中国科学院理化技术研究所专利：一维ZnO/ZnS核壳结构纳米阵列以及单晶ZnS纳米管阵列的制备方法
本研究以稀有鮈鲫（Gobiocypris rarus）为对象，研究了不同浓度 CdSe/ZnS 量子点（QDs）暴露下，稀有鮈鲫胚胎发育过程中自主运动频率、内心率和体长的变化，以及利用体内超氧化物歧化酶（SOD）和丙二醛（MDA）作为毒性指标，反映 CdSe/ZnS QDs暴露对稀有鮈鲫胚胎发育的氧化应激作用.结果显示： CdSe/ZnS QDs对稀有鮈鲫胚胎 72 hpf （hours post...
将CdSe/ZnSe/ZnS量子点掺入到聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中,研究了量子点的发光下转移特性。将420 nm长波滤光片盖在单晶电池上,使电池对300~420 nm波段光谱响应几乎为零,同时排除下转移层抗反射效应的影响,再在滤光片表面制备下转移层,观察到了外量子效率(EQE)值的提升,说明所用量子点可以应用于对300~420 nm波段光谱响应几乎为零的电池上实现频率的下转移,提高EQE。对量...
将CdSe/ZnSe/ZnS量子点掺入到聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中,研究了量子点的发光下转移特性。将420 nm长波滤光片盖在单晶电池上,使电池对300~420 nm波段光谱响应几乎为零,同时排除下转移层抗反射效应的影响,再在滤光片表面制备下转移层,观察到了外量子效率(EQE)值的提升,说明所用量子点可以应用于对300~420 nm波段光谱响应几乎为零的电池上实现频率的下转移,提高EQE。对量...
CdSe/ZnS量子点对稀有鮈鲫胚胎发育的影响及其氧化应激作用
CdSe/ZnS量子点 稀有鮈鲫 胚胎 发育毒性 氧化应激作用
2014/7/24
本研究以稀有鮈鲫（Gobiocypris rarus）为对象，研究了不同浓度 CdSe/ZnS 量子点（QDs）暴露下，稀有鮈鲫胚胎发育过程中自主运动频率、内心率和体长的变化，以及利用体内超氧化物歧化酶（SOD）和丙二醛（MDA）作为毒性指标，反映 CdSe/ZnS QDs暴露对稀有鮈鲫胚胎发育的氧化应激作用.结果显示： CdSe/ZnS QDs对稀有鮈鲫胚胎 72 hpf （hours post...
以C19H42BrN为表面活性剂,采用水热法合成了ZnS:Mn纳米晶,分别利用XRD、TEM、荧光光谱仪对其物相、形貌及光学性能进行了研究。结果表明:ZnS:Mn纳米晶为闪锌矿ZnS结构,颗粒近似球形,平均粒径为4~8 nm。荧光光谱显示,ZnS:Mn纳米晶的荧光发射峰强度随着Mn2+掺杂浓度和表面活性剂含量的增加而逐渐增强。
采用油相法合成了CdSe/CdS/ZnS量子点,相对于CdSe量子点,其吸收光谱、发射光谱均发生了红移。利用COMSOL Multiphysics软件模拟CdSe/CdS/ZnS量子点光纤和甲苯光纤的电场分布,结果表明CdSe/CdS/ZnS量子点光纤的电场强度高于甲苯光纤。采用中心波长为532 nm的稳态半导体激光器作为光源,对甲苯光纤、CdSe/ZnS量子点光纤、CdSe/CdS/ZnS量子点...
表面修饰的ZnS:Mn量子点的发光性质及其对生物分子的检测
ZnS:Mn 表面修饰 发光 BCA法检测
2013/10/16
采用水热法制备了ZnS:Mn量子点,探讨了掺杂离子浓度对ZnS:Mn量子点的晶体结构和发光性质的影响。 通过荧光光谱对样品进行表征。结果表明:掺杂离子的摩尔分数达到2%时,ZnS:Mn量子点在595 nm附近的发光最强;继续增加掺杂浓度反而出现荧光猝灭的现象。本文还研究了表面修饰对量子点形貌和发光性质的影响。通过透射电子显微镜(TEM)观察样品的形貌,发现经过3-巯基丙酸(MPA)修饰后的样品表面...
本文采用涂布法制备了一系列H310BO3/ZnS(Ag)闪烁体转换屏样品，对其成分配比进行了优化。结果表明，最佳的H310BO3/ZnS(Ag)质量比在1∶6~1∶7之间，最佳的黏合剂用量为总质量的25%。利用中子照相设备对转换屏的发光均匀性进行了成像分析，结果显示光输出非常均匀；对楔形镉条进行中子成像，并采用调制传递函数(modulation transfer function,MTF)方法计算...
将不同组分、结构及性质的纳米材料构筑在同一纳米基元中是获得多功能纳米材料的重要手段。利用顺磁性过渡金属离子掺杂半导体纳米晶和通过不同能带半导体纳米晶体形成异质结构是调控半导体纳米晶光学性质的两种有效途径。
球形ZnS/CdSe/ZnS核壳壳量子点的三阶极化率参量相关特征
量子点 三阶极化率 非线性光学
2012/12/12
在有效质量近似下,利用量子力学的密度矩阵理论,采用无限深势阱模型导出了三层球型量子点的三阶非线性光学极化率(自聚焦)的解析表达式.通过数值计算,分析了ZnS/CdSe/ZnS球型核壳结构量子点的三阶极化率(自聚焦)与量子点尺寸和入射光频率之间的关系.结果显示,量子点尺寸增大时,自聚焦效应三阶极化率(自聚焦)的峰值高度增大,峰值位置红移.本文的讨论为实验研究和实际应用提供了理论依据,对于光电器件的研...
以乙酰丙酮镉和硬脂酸锌为前驱体，合成了巯基丙酸修饰的 CdSe/ZnS 核壳型量子点(QDs)。并将其作为荧光探针，以金黄色葡萄球菌(S. aureus)为目标细菌，建立了一种高灵敏的、简单快速的细菌计数新方法，并借助荧光显微镜成功的进行成像探测研究。通过考察量子点浓度、孵育时间等因素的影响，确定了细菌定量检测的最佳条件。在最优化的实验条件下，体系的相对荧光强度随细菌数量的增加而增大，该方法的线性...
利用飞秒泵浦探测技术对CdSe/CdS/ZnS量子点体系中的超快载流子动力学过程进行了研究. 通过选择不同波长的泵浦光分别激发样品壳层和核层，研究了载流子在壳层和核层中的超快动力学过程. 实验结果表明，载流子在CdS壳层导带中弛豫过程非常迅速(约130 fs)，时间明显短于载流子在CdSe核层导带中的弛豫时间(约400 fs). 实验中也发现在CdS壳层和CdSe核层的分界面存在一定量的缺陷态.
水相合成了谷胱甘肽修饰的CdTe/ZnS 量子点(GSH-CdTe/ZnS QDs). 从原子力显微镜照片可以看出, 合成的核壳型GSH-CdTe/ZnS QDs 具有良好的分散性. 当吡柔比星与GSH-CdTe/ZnS QDs 相互作用时, 吡柔比星吸附在GSH-CdTe/ZnS QDs 的表面, 通过光诱导电子转移的方式猝灭GSH-CdTe/ZnS QDs 的荧光. 然后向GSH-CdTe/Z...